| 刻蚀化药 | ·碱性 1μm，套刻精度：±0.5μm：KOH，TMAH |
| ·酸性 ±0.5μm：HF，BOE，HCI，HNO3等 |
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| 刻蚀材料 | ·硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料 |
| 刻蚀技术 | ·离子束刻蚀（IBE） 用于较难刻蚀的金属或其他物质 |
| ·深硅刻蚀（DRIE） 刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1 |
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| ·反应离子刻蚀（RIE） 刻蚀Si，SiO₂，SiNx等 |
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| ·聚焦离子束刻蚀（FIB） 可对材料和器件进行刻蚀、沉积、掺杂等微纳加工 |
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| ·电感耦合（ICP）等离子刻蚀 刻蚀GaN，GaAs，InP等材料 |
