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半导体材料
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光刻胶
光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。可用于深硅刻蚀，适合于高深宽比工艺，透明度高，垂直度好。
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中慧芯提供多种类型及规格的光刻胶：

类型 光刻胶型号 厚度/um 分辨率 适用工艺
AZ系列 AZ5214,AZ4620,AZ6130等 1-30um 1um 可用于深硅刻蚀
PI LTC9000系列 4-50um 4um 用于非铜衬底工艺，固化温度最低可以达到250C°
电子束胶 HSQ Fox-15/16 100nm 350nm-810nm 分辨率最好的光刻胶，抗刻蚀
Lift-off光刻胶 LOR/PMGI-SF系列 50nm-6um 高分辨率，双层lift-off的底层胶
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