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公司简介
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无锡中慧芯科技有限公司,位于无锡市滨湖区十八湾路288号湖景科技园,是一家专注于微纳加工、MEMS器件设计加工的公司,致力于为客户提供更快更优的MEMS解决方案。
公司团队成员深耕MEMS行业多年,拥有十多年丰富的微纳加工、MEMS器件开发及制造能力,技术成熟,工艺经验丰富...
Product & Service
产品与服务
专业为高校、科研机构及企业提供一站式微纳加工代工、MEMS器件加工、流片服务。
Advantages
核心优势

纳米尺度·卓越精准

满足MEMS、光子芯片等严苛精度需求

多元材料·一站式解决

覆盖硅基、金属、陶瓷等30+材料微纳加工

深度协同·按需定制

支持从图纸→样品→量产的全程敏捷响应

创新驱动·技术护城河

持有30+项微纳加工相关资质

News
行业资讯
低温镀膜需求?PECVD让温度不再是瓶颈
2026.05.07
低温镀膜需求?PECVD让温度不再是瓶颈
在薄膜沉积领域,低温镀膜的需求正随着行业发展不断升级。许多基材对温度非常敏感,过高的镀膜温度会导致基材变形、性能受损甚至报废,这一问题长期制约着镀膜技术在多个领域的应用,成为行业发展的重要瓶颈。而等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的出现,打破了温度的限制,让低温镀膜从难题变为现实,为各行业的创新发展提供了新可能。传统镀膜技术多依赖高温驱动化学反应,以此实现薄膜的沉积。
侧壁垂直度不够?试试深硅刻蚀(DRIE)
2026.04.28
侧壁垂直度不够?试试深硅刻蚀(DRIE)
在微纳制造、半导体加工及MEMS器件制备等领域,侧壁垂直度是决定产品性能与可靠性的核心指标之一。无论是微通道、硅通孔还是高深宽比微结构,若侧壁出现倾斜、 taper 或不规则起伏,不仅会影响器件的结构精度,还可能导致信号传输失真、机械性能下降,甚至直接造成产品报废。传统刻蚀工艺往往难以兼顾刻蚀深度与侧壁垂直度,而深硅刻蚀(DRIE,Deep Reactive Ion Etching)技术的出现,为
高精度键合工艺解决方案:助力 MEMS 器件封装与结构互连制造
2026.04.24
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在MEMS器件向小型化、高精度、高可靠性方向快速迭代的当下,封装与结构互连作为核心制造环节,直接决定器件的性能稳定性、使用寿命及应用场景适配能力。高精度键合工艺通过精准调控温度、压力、能量等核心参数,实现不同材料间的原子级牢固连接,破解了传统工艺在对准精度、键合强度、兼容性等方面的痛点,成为推动MEMS器件规模化、高端化发展的关键支撑。MEMS器件结构精密,内部包含可移动质量块、敏感薄膜、微电路等
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